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长江存储成功研发3D NAND芯片

发布时间: 2018-12-03 11:35     来源: 赛迪智库

  据悉紫光集团有限公司旗下的长江存储科技有限责任公司3D NAND芯片研发取得重大突破,成功研制出32层3D NAND Flash芯片。这是长江存储研制的首版32层3D NAND芯片,首颗芯片导入SSD内进行终端产品测试,就已经取得成功,这与原定于12月底提供32层3D NAND样本的计划相比,提前了1个多月。
  打破国外技术垄断
  长江存储成功研发32层3D NAND Flash芯片,打破国外半导体厂三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝、西部数据等存储器厂商的3D NAND技术垄断!长江存储已预定5000片产能的机台设备,根据产品良率情况,预计2018年第2季可以投入试产。如果长江存储3D NAND能够大量投片产出,将会打破外国存储器厂商在国内3D NAND市场的垄断局面,并逐步将国产存储器推广到世界市场。
  注重知识产权布局
  长江存储具有自主研发团队,重视知识产权布局。首先,长江存储于2016年7月成立之后,并购武汉新芯100%股权,成为大陆存储器研发及生产中心。武汉新芯是大陆地区NAND Flash技术研发主力,通过飞索(Spansion)技术授权,生产NOR Flash和SLC型NAND等产品。其次,长江引入全新3D NAND架构Xtacking等关键技术,可以在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路,从而将I/O速度提升到3Gbps,这比目前世界上最快的3D NAND I/O速度1.4Gbps快了2倍多。
  产学研用协同育人
  长江存储和中国科学院微电子所联合开展产学合作、协同育人的新型人才培养模式。科研院所的优秀工程硕士与集成电路领域骨干企业展开全方面合作,创建学校、企业双导师培养模式,共建高水平的学生实习实践基地,设立企业工程项目作为学生研究课题,逐渐形成完善的实用型、复合型人才培养机制,建立产学合作协同育人的长效机制。在保障企业自身的研发梯队建设的同时,也为我国培养了优秀集成电路工程人才、补足了产业人才培养短板环节。
  国内市场空间广阔
  中国是全球最大的制造国,对3D NAND产品有巨大需求,庞大的市场为长江存储的发展提供了基础。企业级SSD产品中采用3D NAND的比重逐年升高,企业级SSD产品已从2015年10%攀升到2018年的77%,消费级SSD产品已从3%扩大到60%,3D NAND已经成为主流应用,国际巨头争相角逐中国市场。长江存储器可以从低端市场做起,逐渐积累技术和资金,向中高端市场进军,最终实现挑战三星的目标。
  加大投入攻坚克难
  目前,关键环节的研发已有小成,仍需逐步提升产品良率,成本结构才会具有市场竞争力。同时,紫光的32层3D NAND闪存核心容量是64Gb,这与目前主流的256-512Gb核心容量存在一定差距。紫光集团还需继续加大研发力度、积累技术,缩小与三星、东芝、SK海力士等国际大厂之间的差距,早日攻克64层3D NAND技术,并全面大量投产,让中国在NAND Flash芯片制造上达到国际水平。

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